- 高三物理导体模型公式
高三物理导体模型公式有：
1. 欧姆定律部分：
部分电路欧姆定律：$I = frac{E}{R + r}Delta{I = frac{U}{R + r}Delta t}$。
2. 串联电路：
串联电路的总电阻：$R = R_{1} + R_{2} + ldots + R_{n}$；串联电路电流：$I = I_{1} = I_{2} = ldots = I_{n}$；串联电路电压：$U = U_{1} + U_{2} + ldots + U_{n}$。
3. 并联电路：
并联电路的总电阻：$R = frac{R_{1}R_{2}}{R_{1} + R_{2}}$；并联电路电压：$U = U_{1} = U_{2} = ldots = U_{n}$；并联电路电流：$I = I_{n} = I_{2} + I_{3} + ldots$。
4. 电功和电功率：$W = UIt$、$P = UI$。
5. 电阻定律：导体电阻的公式为$R = rhofrac{l}{S}$，其中$rho$为电阻率，由导体材料决定，l为导体的长度，S为导体的横截面积。
6. 电容器的电容：C=Q/U，电容的定义式，与Q、U无关。电容的定义式适用于任何电容器，电容器连接方式不影响电容。
以上是部分导体模型公式，建议查阅资料获取完整信息。
相关例题：
题目：一个长为L的均匀带电导体棒，其电荷线密度为λ，在距离棒的一端为a处有一个质量为m的点电荷q，求该点电荷受到的电场力。
解答：
首先，我们需要知道导体棒在空间中产生的电场分布情况。由于导体棒是均匀带电的，所以可以根据高斯定理得到导体棒在空间中产生的电场强度E。
高斯定理表示，在任意一个封闭曲面上的电通量可以等于曲面内所有电荷在该面上的积分，除以真空中的电容率。在这个问题中，我们可以选择一个以棒为中心，半径为L+a的球面作为封闭曲面。由于导体棒是无限长的，所以它的电场可以看作是均匀分布的。
根据高斯定理，我们可以得到导体棒产生的电场强度为：
E = kλ/(2π(L+a))
其中k是一个常数，称为电场常数。
接下来，我们需要考虑点电荷q受到的电场力。根据库仑定律，点电荷q受到的电场力F与它到导体棒的距离r的平方成反比，即：
F = kq^2/r^2
其中k也是一个常数，称为静电力常数。
因此，点电荷q受到的电场力为：
F = kq^2/(L+a-r)^2 r m
其中r是从点电荷q到导体棒的距离。
最后，将E和F代入公式中，可以得到：
F = k(mλ^2)/(L^2(L+a)^2) q^2 a^2
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