半导体物理的基本公式和相关例题较多，以下是一些常见的公式和例题：
公式：
1. 费米-狄拉克分布：E/k^2≤T，E为能量，k为波尔兹曼常数，T为绝对温度。
2. 载流子浓度：n=eaEg/kT，p=eaEg^3/3kT^3，其中ea为电子有效质量，Eg为带隙。
3. 漂移电流：Id=eaN0(V-V0)/L，其中V为电压，V0为阈值电压，L为沟道长度。
例题：
1. 已知半导体材料的带隙Eg=1.5eV，室温下绝对温度T=300K，求室温下半导体中电子浓度。
解：根据费米-狄拉克分布，可得到室温下半导体中电子浓度为：
n = 1.5 × 10^23(exp(1.5/300)-1)个/m³
2. 假设一个N型半导体，其掺杂浓度为1×10¹³cm⁻³，沟道长度为1μm，阈值电压V₀=0.5V，求其漂移电流Id。
解：根据漂移电流公式，可得到漂移电流Id为：Id = eaN0(V-V₀)/L = 1.6 × 10^-19 × 1 × 10¹³ × (0.5-0) / 1μm = 8mA
这些公式和例题只是半导体物理的一部分，具体应用还需结合实际情况进行理解和应用。
半导体物理的基本公式有：
1. 费米-狄拉克分布函数公式：f(E_F) = 1/（exp(E_F/k_B T)-1）
2. 德布罗意公式：E = hc/lambda
3. 霍尔系数公式：R_H = (n_ep_n电动势)/(宽度长度e)
相关例题：
假设一个半导体材料的费米能级为E_F，温度为T，求其载流子浓度n。
根据费米-狄拉克分布函数，可得到：n = 2/(hc/v_Fk_BT)
其中v_F是费米速度，h是普朗克常数，k_B是波尔兹曼常数。
请注意，这只是基本公式和例题的一部分，半导体物理还包括许多其他概念和公式。
半导体物理的基本公式和相关例题常见问题主要包括以下几个：
基本公式：
1. 欧姆定律在半导体中如何应用？电流I与电压V的关系如何？
2. 霍尔效应产生的电势差与哪些因素有关？
3. 载流子的漂移速度与电场强度之间有何关系？
4. 半导体中的热平衡方程是什么？如何求解？
例题：
1. 假设一个PN结中，注入的少数载流子浓度为n0，平衡态时，多数载流子浓度为N0，求外加电压V在PN结处产生的电场强度E。
2. 假设一个半导体中存在一个方向的电场E，载流子在其中漂移，求单位时间内通过截面的载流子数目。
常见问题：
1. 在半导体物理中，什么是载流子？它们是如何产生的？
2. 半导体中的热平衡方程如何应用？
3. 霍尔系数是如何定义的？它与哪些因素有关？
4. 在PN结中，少数载流子的扩散和漂移过程是如何相互作用的？
5. 如何求解半导体中的载流子浓度？有哪些常用的方法？
6. 在半导体器件中，如二极管和晶体管，如何利用半导体物理的基本原理进行分析和设计？
以上是半导体物理的基本公式、例题和常见问题的一些概述。理解和掌握这些基本原理对于理解半导体器件的工作原理，进行相关设计和分析非常重要。